韓媒《BusinessKorea》報導，三星將於明6月30日開始量產GAA架構的3奈米晶片，進度搶先台積電。
三星3奈米晶片押寶GAA環繞閘極技術，與傳統FinFET鰭式場效應電晶體製程進行比較，不只減少晶片尺寸和功耗，還能提高晶片運算的性能。台積電相較走保守路線，3奈米仍採用FinFET技術，預計下半年量產，更先進的2奈米晶片才會跟進GAA技術。
雖然三星搶先3奈米GAA，但市場分析，台積電還是有老神在在的本錢，畢竟三星此舉看起來是宣傳意味比較大，雖稱量產，實際上的產能恐怕很低。
另外，三星的關鍵還是在於良率，想超越台積電，必須維持穩定質量才有機會「逆轉勝」，是三星的一大難關。
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