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Snapdragon 835 將採 8 核心設計?Galaxy S8 可望成為首搭機種!

2016/11/24 10:07 文/記者譚偉晟

(圖/Qualcomm)

預計使用在 2017 年旗艦手機上的 Snapdragon 835 處理器,總算有關於規格的消息曝光。不同目前 Snapdragon 820 處理器的設計,Snapdragon 835 可望採用 Kryo 200 4+4 架構的 8 核心處理器設計!

根據《Phone Arena》的報導,由三星(Samsung)負責打造的高通(Qualcomm)新處理器 Snapdragon 835,在微博用戶「@laenix_」的爆料下曝光了詳細規格。這款採用 10 奈米製程設計的處理器,傳出將會採用 Kryo 200 4+4 架構的 8 核心設計,並且將由 Galaxy S8 做為首搭機種。

(圖/@laenix_)

其他規格包含 GPU 採用 Adreno 540(S820 為 Adreno 530),基頻部分為 X16 LTE Modem(S820 為 X12),支援 UFS 2.1 儲存元件標準,記憶體的部分也開始支援 LPDDR 4。

此外另一款中階處理器 Snapdragon 660 也一起曝光,採用與 Kyro 4+4 架構的 8 核心設計,搭配 Adreno 512 GPU、X10 LTE Modem、同樣支援 UFS 2.1,預計會在 2017 年第 2 季,由中國品牌手機 OPPO、VIVO 首搭亮相。

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