由於價格和耐用度的考量，一般記憶體 RAM 雖然擁有更高的讀寫速度，但還無法取代一般 SSD 和 Flash Storage 儲存元件。然而 IBM 最新發表的 PCM 新型記憶體，以其優於一般記憶體 50 倍的速度表現，或許能夠成為這類儲存裝置的全新方案！
根據《The Verge》報導，IBM 推出的 PCM（Phase-Change Memory）相變化記憶體，是透過高溫讓硫族化物出現變化、產生晶體與非晶體，並經由不同的電阻值來儲存資料。而這次 IBM 的創舉在於，過去 PCM 僅能在 1 Cell 儲存單位中儲存 1bit 的資料，經過 IBM 的努力已經可以達到每 Cell 儲存 3bit 資料。
在 IBM 的測試中，於高溫狀態下 PCM 可以寫入達 1000 萬次之多，考慮到 PCM 的成本比 DRAM 更低、而且更接近快閃記憶體，因此有機會成為新型的儲存方式。
IBM 認為，透過 PCM 和快閃記憶體的混合使用，將有助於提升行動裝置的效能表現。舉例來說，廠商可以將作業系統安裝在 PCM 之中，這樣就可以讓手機在幾秒鐘內完成開機。
除了行動裝置外，用來運行人工智慧系統的資料中心，預期也是 PCM 能夠有效發揮的領域。由於機器學習需要大量的資料運算，對高速讀寫裝置的需求更大，這正是 PCM 能夠有效發揮的地方。
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