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前所未見的省電效率與效能提升
英特爾的 3-D 、三閘 ( Tri-Gate ) 電晶體讓晶片能在更低的電壓下運作，且降低漏電，相較於先前最先進的電晶體，不僅效能提升且更加省電。這些功能讓晶片設計人員掌握充裕彈性，能根據應用的需要選擇適合的電晶體，以達到低功耗或高效能的目標。
22 奈米的 3-D 、三閘 ( Tri-Gate ) 電晶體在低電壓模式，其效能較英特爾的 32 奈米平面電晶體高出 37 %。如此出色的性能提升，讓這種新晶片適用於各種迷你掌上型裝置，在運作時能減少電晶體在開啟 / 關閉反覆切換所耗費的電力。相較於內含 2D 平面電晶體的 32 奈米晶片，新型電晶體在維持相同效能時耗電量縮減近一半。
