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何謂 3-D 、三閘 ( Tri-Gate ) 電晶體
3-D 、三閘 ( Tri-Gate ) 電晶體意味著將完全擺脫 2D 平面電晶體結構。
迄今為止，不僅所有電腦、手機、消費電子產品，甚至連汽車、飛機、家用電器、醫療設備、以及成千上萬種日常裝置內的電子控制元件，在過去數十年皆使用平面結構的電晶體。
英特爾總裁暨執行長歐德寧 ( Paul Otellini ) 表示：「英特爾的科學家與工程師們以 3 - D 立體的設計再次徹底革新電晶體。該技術不僅將創造出許多為世界帶來不同面貌的驚奇產品，同時，也將摩爾定律推升至新的境界。」
科學家們很早便認同 3-D 立體電晶體結構能延續摩爾定律的準確性，因為當電路尺寸微縮到一定程度時，物理定律就變成微型化的障礙。今日發表的突破性成果，在於英特爾有能力使創新的 3-D 、三閘 ( Tri-Gate ) 電晶體設計進入量產，這不僅開啟摩爾定律的新時代，更為各種裝置打開一扇大門，跨入創新的新世代。
摩爾定律預測矽元件技術的發展速度，指出電晶體的密度大約每兩年就會倍增，功能與效能攀升，成本則隨之下滑。在過去 40 多年來，摩爾定律已成為半導體產業在經營上所依循的基本規律。
