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（圖／路透）
韓媒《Business Korea》消息，三星「裝置解決方案」（Device Solution，DS）科技長 Jeong Eun-seung 指出，目前三星在 3 奈米製程的 GAA 技術已領先主要競爭對手（即台積電），有望在商轉進程超前台積電。
透過 GAA 技術，晶片架構相比「FinFET」能以更小的體積實現更好的能耗表現，實際可達 45% 面積縮減、同時有50% 的能耗提升。這項技術並被認為是 3 奈米製程的關鍵，未來也會被全球各大晶圓廠採用。
Jeong 並認為，三星至自 2017 年才啟動晶圓代工事業，但藉由在記憶體領域累積的能力，將有機會取代台積電的地位。他也稱，三星也曾搶先台積電，將「FinFET」應用到 14MHz 產品。
不過，作為對比，台積電目前則認為，先繼續以「FinFET」開發 3 奈米製程，將是對客戶在實用性上最有利的方案。但在 GAA 的全球專利上台積電仍有佈局，以 31.4% 的專利總數占比，領先三星的 20.6%。
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