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SanDisk 宣佈推出採用全球最先進、 19 奈米記憶體製程技術之 64GB x2 ( 2-bits-per-cell ) 記憶體晶片。這項最新的技術將有助 SanDisk 日後針對手機、平板電腦與其他裝置，推出兼具高容量與小尺寸的嵌入式可抽取儲存裝置。
SanDisk 計畫在本季將此 19 奈米 64GB X2 晶片送樣，並自 2011 年下半年開始量產。屆時， SanDisk 也會將推出 19 奈米 X3 ( 3-bits-per-cell ) 晶片。
SanDisk 執行副總裁暨技術長 Yoram Cedar 表示：「我們很高興在和東芝 ( Toshiba ) 的持續合作下，領先業界推出這款採用 19 奈米製程技術，且尺寸最小、成本最低的 NAND flash 晶片。此成果主要針對日後更創新的應用、尺寸和消費者使用經驗所設計，預計也將持續推升快閃記憶體的產業發展至更高的境界。」
此項先進的 19 奈米裝置採用當今最精密的快閃記憶體製造技術，不僅在製程方面更為先進，也在元件設計上有所突破。 SanDisk 擁有專利 All-Bit-Line ( ABL ) 架構，和多層資料儲存管理方案，有助於生產多層電路元 ( Multi-level Cell, MLC ) NAND flash 晶片，而無需擔心其效能或穩定度。
