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SANDISK 採用19 奈米高階製程技術

2012/06/05 19:19 SANDISK

推出 iNAND Extreme 高容量、高效能嵌入式記憶體


SanDisk 宣布以世界最先進晶片製程技術,推出最高效能嵌入式記憶體產品。

新產品 SanDisk iNAND Extreme 採用 19 奈米製程,為高容量、高效能嵌入式快閃記憶解決方案,適用於高階平板電腦與智慧型手機。裝置如搭載包括 Android ,或即將推出的 Windows 8 ( Microsoft Windows RT Version ) 等作業系統,皆可受惠於 iNAND Extreme 在容量、效能及小尺寸上的優勢。

SANDISK 採用 19 奈米高階製程技術 推出iNAND Extreme 高容量、高效能嵌入式記憶體

iNAND Extreme 嵌入式快閃記憶體可大幅提昇多工作業、網路瀏覽,檔案傳輸及影像擷取的效能表現,為平板電腦或智慧型手機的使用者,創造更愉快的使用體驗。 SanDisk iNAND Extreme 提供 16GB 至 128GB 容量選擇。其中, 128GB 記憶體容量足以儲存多部高畫質電影與數千筆音樂及照片。

19 奈米,即 iNAND Extreme 在設計電路時所採用的製程技術,是極為精細的尺寸。舉例來說,若一張紙的寬度為 0.1mm 即 100,000nm ,其邊緣將可容納相當於超過 5,000 個 19nm 大小的物件。

被評為高階平板電腦及搭載最新作業系統的行動裝置等所適用之高效能儲存方案, iNAND Extreme 將為 NVIDIA Tegra 3 4-Plus-1 四核心架構處理器之參考設計。

NVIDIA 公司筆記型電腦事業部總經理 Rene Haas 表示:「 SanDisk 解決方案是我們在展現 Tegra 3 性能上的重要助力。 Tegra 能廣泛地為各種行動裝置帶來最佳的效能與電池續航力,而 iNAND Extreme 高效能記憶儲存方案,即是在協助平板電腦及行動裝置相關製造商,創造世界級的使用者體驗。」

SanDisk OEM 資深副總裁兼總經理 Dan Inbar 指出:「 SanDisk 的技術與專業製造能力能為 OEM 客戶實現高容量儲存與系統效能,進而帶給消費者實質效益。同時,我們也和軟體領導廠商合作,針對下一代作業系統、檔案系統與使用方式,優化我們的儲存方案;這也使 SanDisk 更有能力協助行動產品製造商,開發出具備優異使用體驗的產品。」

SanDisk 128GB iNAND Extreme 採 12mm x 16mm 封裝,具備高度競爭優勢,且符合新版 e.MMC 4.5 規格,最快可達每秒 45MB 連續寫入與每秒 100 MB 連續讀取速度 (可完美整合於現今乃至未來數代的平板和智慧手機使用之檔案系統。最新版之 iNAND Extreme 將於本月送樣至客戶端,相關產品預計將於今年夏天全面推出)。新一代 iNAND Extreme 隨機寫入效能超越先前產品兩倍以上,同時大幅增進隨機讀取效能。

SanDisk iNAND 產品系列之嵌入式儲存方案可滿足各種行動市場效能區隔與容量需求。 SanDisk iNAND 系列包括 iNAND 、 iNAND Ultra 與 iNAND Extreme 產品等。

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