韓媒報導,三星準備2025年大規模生產2奈米GAA。(圖/歐新社)
台積電2奈米宣布將自2025年進行量產,採Nanosheet技術,韓媒BusinessKorea報導 ,為追趕台積電,三星計畫未来3年内打造3奈米GAA,2025年大規模生產2奈米GAA。
不同於台積電,三星選擇押注GAA,今年上半年將GAA應用於3奈米,準備2023年導入至第2代3奈米,2025年再進入2奈米。台積電的戰略是今年下半年進入3奈米市場,採用穩定的FinFET工藝,2025年佈局2奈米Nanosheet。
根據TrendForce市調公司數據,2021年第4季,台積電占全球晶圓代工市場的52.1%,遠遠超越三星的18.3%。
該報導也說,專家指出三星3奈米GAA的問題還是在於良率,未來3年成為關鍵,若能維持穩定質量,超越台積電不是沒有機會。
台積電在2奈米選擇了奈米片電晶體架構的Nanosheet技術,其實與三星提出的GAA環繞式閘極電晶體有異曲同工之妙,GAA本身也是奈米片技術的一種變化,但鰭片的寬度較窄,因此稱為奈米線,雖然在某些電氣特性上可能更有優勢,但是製造難度更高。
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