速度達 7.2 Gpbs！三星 DDR5 記憶體顆粒投入量產

2021/10/14 17:09 3C科技頻道／綜合報導

（圖片來源／三星）

根據外媒《Wccftech》的說法，三星（Samsung）已開始量產下一代 DDR5 記憶體 DRAM 顆粒，主要採用三星的 14nm EUV 製程，擁有比現有的 DDR4 記憶體多上兩倍性能。

（圖片來源／三星）

新的 DDR5 記憶體將優先應用於 AI 運算或是高效能運算（HPC）平台，據三星官方的說法，基於 14nm EUV 技術，新的 DDR5 記憶體可以達到 7.2 Gpbs 傳輸速度（DDR4 為 3.2 Gpbs）及 768GB 記憶體容量。

隨著 DRAM 製造技術推進至 10nm 製程，EUV 技術已然成為 DRAM 領域不可獲缺的技術。

繼去年（2021）首次將 EUV 光刻技術應用於 DRAM 產品後，三星至今已將 EUV 層數堆疊到第五層，被認為是目前 DDR5 記憶體技術上最好、且最先進的製造工藝，能在相同體積下增加密集度，將晶圓的產能提高 20%，同時功耗也比上一代 DDR4 節省 20%。

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