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（圖片來源／Phone Arena）
三星（Samsung）2017 年旗艦手機 Galaxy S8 即將發售，先前就已傳出三星在這次因美國電信規範的關係，因此在美版與國際版的 Galaxy S8 上採用不同的處理晶片，這也導致外國媒體特別的關注兩款手機之間效能的差異。
由於美國 Verizon 採用 CDMA 通訊協定，因此美版的 Galaxy S8 採用高通（Qualcomm）的 Snapdragon 835 處理器，而國際版本的則是使用三星自家的 Exynos 8895 晶片。一般來說 Galaxy S8 所使用的這兩款晶片之間的效能差異並不多，不過根據外媒《Phone Arena》的報導，最近流出的一份 Geekbench 跑分資料顯示，兩者之間似乎以三星的 Exynos 8895 晶片表現稍佳。
（圖片來源／Phone Arena）
在 Geekbench 的跑分資料中，美版 Galaxy S8 Plus 與國際版 Galaxy S8 Plus 在單核心運算所得到的跑分分別為 1929 / 1978，而在多核心的運算則是 6084 / 6375。在數據上來看，明顯三星自家的 Exynos 8895 晶片（國際版）無論在單核心還是雙核心上都微勝 Snapdragon 835 晶片（美國版）。
不過一但進入細節方面，《Phone Arena》發現在低功耗的模式下，Snapdragon 835 的表現反而勝過 Exynos 8895，但用全方面來看，依然是 Exynos 8895 分數高。這有可能是因為高通的晶片在 Galaxy S8 Plus 上進行單核與多核的測試時，快取記憶體出現延遲現象，進而影響跑分表現。
（圖片來源／Phone Arena）
除了新旗艦 Galaxy S8 Plus 之間的差異，《Phone Arena》還特別將上一代旗艦的 Galaxy S7 Edge 與新旗艦作比較，發現新的 Exynos 8895 晶片遠勝過舊的 Exynos 8890 晶片。不過有趣的是，這樣的差異僅止於多核心的運算上，在多數 Android 應用軟體未支援多核心運算下，平時單核心運算將比多核心還來得重要。因此，用戶在實際使用上並不會感到 Galaxy S8 Plus 與 Galaxy S7 Edge 有什麼太大的差別。
（圖片來源／Apple Insider）
