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iPhone 雖然是蘋果自己設計的，不過 iPhone 裡面許多重要零組件都採用其他廠商的產品。記憶體大廠 Toshiba、SanDisk 日前宣布已經開發出 48 層的 3D NAND Flash 記憶體，有外媒就猜測，因為目前這兩家廠商已經是蘋果的記憶體供應商，因此明年將推出的 iPhone 7 將很有可能會搭載這款全新的 NAND Flash 記憶體。
記憶體大廠 Toshiba、SanDisk 日前宣布已經開發出 48 層的 3D NAND Flash 記憶體，可能用在明年的 iPhone？圖片來源／法新社）
本週 Toshiba 和 Sandisk 宣布開發出新的 3D NAND Flash，記憶體堆疊層數達 48 層，超過了先前的 16 層。今年 3 月時，Toshiba 率先發表了 48 層 3D NAND 快閃記憶體，這個晶片採用了 Toshiba 的 BiCS 技術，製程超越主流的二維 NAND 快閃記憶體容量，同時也可以提高寫入、擦除次數可靠性，並提高寫入速度。
以蘋果不輕易更換供應商的習慣來看，或許明年推出的 iPhone 7 就有可能搭載全新的 NAND Flash 記憶體。（圖片來源／彭博社）
雖然 Toshiba 新聞稿中，並沒有提及這款新記憶體可能的潛在客戶，不過以蘋果不輕易更換供應商的習慣來看，或許明年推出的 iPhone 7 就有可能搭載全新的 NAND Flash 記憶體。新款 NAND Flash 將於今年 9 月試產，且將會在新的 Fab 2 工廠大量生產。新廠預估明年完工，因此產品用在 iPhone 7 的機率也較大。
