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IGZO 為 InGaZnO (銦鎵鋅氧化物)的縮寫，係備受關注的次世代 TFT 技術，屬氧化物 TFT ( Oxide TFT )的一種。 DIGITIMES Research 分析，與非晶矽( a-Si ) TFT 相較，氧化物 TFT 不僅電子移動度較高，且在 TFT 一致性、製造成本與製程溫度，亦均與非晶矽 TFT 同水準，有機會成為次世代 TFT 製程。
氧化物 TFT 技術最早係由日本細野秀雄教授於 1995 年首次發表，而 2004 年由細野秀雄教授帶領的日本東京大學研究團隊，又發表採用 IGZO 薄膜製作的 TFT 元件，其後，南韓、日本與台灣相關廠商自 2006 年起陸續發表採氧化物半導體的試製品。
依全球 FPD 廠商於氧化物 TFT 技術發展動向來看，其應用面涵蓋 3D TV 面板、可撓式顯示器、透明顯示器、超大尺寸電視／數位資訊顯示器等應用領域。
而在南韓與日本主要 LCD 面板廠中，以三星與夏普啟用氧化物 TFT 產線量產腳步將較快，其中， DIGITIMES Research 說明，三星運用氧化物 TFT 技術，主要在使 3D TV 面板達到 UD 級高解析度與 480Hz 高倍速驅動，其計劃最快於 2012 年推出採該面板的 3D TV 新品，依此來看，三星啟用氧化物 TFT 產線量產的時間，應將落在 2011 年下半至 2012 年之間。
至於夏普啟用氧化物 TFT 產線量產的時間，則可能落在 2011 年底，而相較於三星以氧化物 TFT 發展次世代 3D TV ，夏普則將優先供應平板裝置與智慧型手機用途，於此背景下， 2012 年 LCD 製程可望邁入新階段。
