延續創新的步伐 - 摩爾定律
隨著英特爾共同創辦人高登摩爾所提出之摩爾定律所預測的速度，電晶體持續變小、更便宜、而且更省電。因此，英特爾能夠創新研發、整合、以及加入更多功能與運算核心到每顆晶片，一方面提升效能，同時亦降低每個電晶體的製造成本。
在 22 奈米世代，想要延續摩爾定律的準確性，業界面臨更加複雜的挑戰。由於預見這種情況，英特爾的研究科學家在 2002 年發明了他們稱為 Tri-Gate 的電晶體，取這個名字是因為閘極有三個面。今日宣布的訊息是經歷多年研發的成果，結合英特爾的研究/開發/製造團隊，使這項成果將邁入大量生產的階段。
3-D 、三閘 ( Tri-Gate ) 重新打造了電晶體。傳統的"平面" 2D 閘極換成 3D 矽晶薄片，這些做成薄片狀的電晶體垂直接附在矽基板的表面上。薄片三個平面上各置有一個閘極用來控制電流 (兩側各有一個，第三個則置於頂端)，而 2D 平面電晶體則只有在頂端處置有唯一一個閘極。更多的控制元件讓電晶體在切換至「開啟」狀態(以提高效能)時能流入更多的電流，而在「關閉」狀態(達到最低的耗電)時讓電流盡可能接近於零，並且讓電晶體能快速在兩種狀態之間切換 (以達到更好的效能)。
摩天高樓讓都市規劃人員得以向天空疊高樓層，以構築出更多的活動空間，英特爾的 3-D 、三閘 ( Tri-Gate ) 電晶體結構透過類似的方式來提升密度。由於這些電晶體薄片是垂直置於基板上，因此電晶體能靠得更近，這對技術以及摩爾定律預測的經濟效率而言至關重要。在未來的世代，產品設計師可持續提高電晶體薄片的高度，藉此達到更高的效能與省電性。
摩爾表示，「多年來我們在電晶體微縮時持續面臨重重的極限。基本結構的改變，是一種真正革命性的做法，使得摩爾定律能延續創新的歷史步調。」
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