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讀寫效能為 NAND 一千倍?IBM 新一代記憶體 MRAM 問世!

3C科技頻道/綜合報導 2017-04-27 12:48

(圖片來源/Phone Arena)

隨著科技產業持續發展,下一代的快取記憶體也即將面世,綜合外媒《Phone Arena》與《Patently Apple》的報導,IBM 與韓國三星電子(Samsung)已經研發了新一代的記憶體,並表示是目前同類型最快的記憶體,稱為「MRAM」。

作為新非易失性記憶體,MRAM 使用新的非磨損性 STT 自旋轉矩技術,比起目前主流的 NAND 架構,新的 MRAM 擁有約一千倍於 NAND 的讀寫速率,而且所耗功率也較低,如果沒在運作的話所需功率為零。

(圖片來源/Patently Apple)

由於擁有低耗、高讀取性質,MRAM 將會是未來智慧型手機等行動裝置的最佳記憶體選擇,以協助處理器改善過去 NAND 速度上限,並強化處理器的效能。因此未來配備 MRAM 的行動裝置會比現在更快更省電。

外媒認為,新技術有機會於 2018 年後出現於 Apple、三星等龍頭公司產品中。而且據三星公司表示,三星已成功將 MRAM 記憶體嵌入下一代的微型處理器(SoC)中,相關產品將最快於明年現身。

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